製造元：ミカサ(株)
型 式： IH-DX2
用 途： ホトレジスト塗布
仕 様
型式：回転塗布式
回転数: 300-7000rpm
回転制御：プログラム方式
回転時間：最大999.9秒
試料サイズ：154mmφ(MAX)
型 式： IH-DX2
用 途： ホトレジスト塗布
仕 様
型式：回転塗布式
回転数: 300-7000rpm
回転制御：プログラム方式
回転時間：最大999.9秒
試料サイズ：154mmφ(MAX)
主な光デバイス開発用プロセス装置：詳細
プロセス装置
スピンコータ
露光装置
製造元： ミカサ(株)
型 式： MA-20
用 途： パターン転写
仕 様
露光方式：マスク密着型
顕微鏡：双対物型双眼
光源：超高圧水銀ランプ
マスクサイズ：最大5インチ
ウエファサイズ：φ1~φ4インチ
型 式： MA-20
用 途： パターン転写
仕 様
露光方式：マスク密着型
顕微鏡：双対物型双眼
光源：超高圧水銀ランプ
マスクサイズ：最大5インチ
ウエファサイズ：φ1~φ4インチ
ドラフトチャンバー
製造元： ヤマト化学（株）
型 式： RFS-1500SZ,RFS-1800SZ
用 途：化学薬品を使用した洗浄、エッチング処理、レジスト現像、有機溶剤による洗浄等
超音波洗浄器
超純水供給設備 2個所
型 式： RFS-1500SZ,RFS-1800SZ
用 途：化学薬品を使用した洗浄、エッチング処理、レジスト現像、有機溶剤による洗浄等
超音波洗浄器
超純水供給設備 2個所
ICPドライエッチング装置
製造元： サムコ（株）製
型 式： RIE-101iPHJF
用 途： GaAs,InP等化合物半導体のドライエッチング
仕 様
放電方式：ICP型高密度プラズマ
RF出力：ICP 1KW(MAX) 13.56MHz
BIAS 300KW(MAX) 13.56MHz
主排気：ターボ分子ポンプ
試料ホルダ： 100 mmφ MAX
ロードロック機構付
基板加熱：オイルチラー方式（200℃ MAX）
導入ガス： Cl2, BCl3, SicL4
型 式： RIE-101iPHJF
用 途： GaAs,InP等化合物半導体のドライエッチング
仕 様
放電方式：ICP型高密度プラズマ
RF出力：ICP 1KW(MAX) 13.56MHz
BIAS 300KW(MAX) 13.56MHz
主排気：ターボ分子ポンプ
試料ホルダ： 100 mmφ MAX
ロードロック機構付
基板加熱：オイルチラー方式（200℃ MAX）
導入ガス： Cl2, BCl3, SicL4
P-CVD装置
製造元： サムコ（株）
型 式： PD-220NLJ
用 途： SiO2膜の形成v
仕 様
方式：液体ソース(TEOS)プラズマCVD
RF出力: 300W（MAX)13.56MHｚ
排気：メカニカルブースターポンプ
ロードロック機構付
基板温度 : 400℃(MAX)
基板サイズ：200mmφ(MAX)
接続ガス：TEOS, O2,CF4
型 式： PD-220NLJ
用 途： SiO2膜の形成v
仕 様
方式：液体ソース(TEOS)プラズマCVD
RF出力: 300W（MAX)13.56MHｚ
排気：メカニカルブースターポンプ
ロードロック機構付
基板温度 : 400℃(MAX)
基板サイズ：200mmφ(MAX)
接続ガス：TEOS, O2,CF4
RFスパッタ装置
製造元： キャノンアネルバ(株)
型 式： EB1100
用 途： 誘電体薄膜形成
仕 様
平行平板型上部基板取り付けタイプ
主排気：ターボ分子ポンプ
RFパワー：300W(MAX)
カソード数：プレーナ型マグネトロン4基
基板加熱機構：300℃MAX
ロードロック式
多層膜自動堆積
成膜エリア:220ﾐﾘ以下
適応： SiO2,TiO2,Al2O3 等
型 式： EB1100
用 途： 誘電体薄膜形成
仕 様
平行平板型上部基板取り付けタイプ
主排気：ターボ分子ポンプ
RFパワー：300W(MAX)
カソード数：プレーナ型マグネトロン4基
基板加熱機構：300℃MAX
ロードロック式
多層膜自動堆積
成膜エリア:220ﾐﾘ以下
適応： SiO2,TiO2,Al2O3 等
段差測定器
製造元： ブルカー・エイエックスエス
型 式： Dektak XT
用 途： 2次元表面プロファイル測定、基板表面形状、薄膜厚み、エッチング深さ等
仕 様
測定方式：針移動による表面接触式
スキャン長：55mm
段差測定再現性：<5Å
高さ分解能：1Åmax
触圧範囲：1~15mg
最大サンプル高さ：50mm
最大ウエハサイズ：200mm
型 式： Dektak XT
用 途： 2次元表面プロファイル測定、基板表面形状、薄膜厚み、エッチング深さ等
仕 様
測定方式：針移動による表面接触式
スキャン長：55mm
段差測定再現性：<5Å
高さ分解能：1Åmax
触圧範囲：1~15mg
最大サンプル高さ：50mm
最大ウエハサイズ：200mm
分光エリプソメータ
製造元： J.A.Woollam
型 式： α-SE
用 途： 薄膜厚み、光学定数の波長分散測定
仕 様
波長範囲：382~890nm
測定チャンネル：180
解析モデル：Causy,Lorentz等
試料サイズ：150×150mm,厚さ10mm(MAX)
型 式： α-SE
用 途： 薄膜厚み、光学定数の波長分散測定
仕 様
波長範囲：382~890nm
測定チャンネル：180
解析モデル：Causy,Lorentz等
試料サイズ：150×150mm,厚さ10mm(MAX)
ICPドライエッチング装置
製造元： サムコ（株）製
型 式： RIE-101iPHJF
用 途： シリコン、酸化膜、金属等のエッチング
仕 様
放電方式：ICP型高密度プラズマ
RF出力：ICP 1KW(MAX) 13.56MHz
BIAS 300KW(MAX) 13.56MHz
主排気：ターボ分子ポンプ
試料ホルダ： 100 mmφ MAX
ロードロック機構付
基板加熱：オイルチラー方式（200℃ MAX）
導入ガス： CF4, O2, Ar, C3F8
型 式： RIE-101iPHJF
用 途： シリコン、酸化膜、金属等のエッチング
仕 様
放電方式：ICP型高密度プラズマ
RF出力：ICP 1KW(MAX) 13.56MHz
BIAS 300KW(MAX) 13.56MHz
主排気：ターボ分子ポンプ
試料ホルダ： 100 mmφ MAX
ロードロック機構付
基板加熱：オイルチラー方式（200℃ MAX）
導入ガス： CF4, O2, Ar, C3F8
プラズマドライクリーニング装置
製造元： サムコ（株）
型 式： PC-300J
用 途： 基板表面洗浄、残渣有機物除去
仕 様
RF出力：300w(MAX) 13.56MHz
基板サイズ：最大8インチφ
連続運転時間：99min（MAX)
RIEモード／プラズマエッチングモードが選択可能
接続ガス： O2,Ar,O2
型 式： PC-300J
用 途： 基板表面洗浄、残渣有機物除去
仕 様
RF出力：300w(MAX) 13.56MHz
基板サイズ：最大8インチφ
連続運転時間：99min（MAX)
RIEモード／プラズマエッチングモードが選択可能
接続ガス： O2,Ar,O2
抵抗加熱蒸着装置
製造元： キャノンアネルバ（株）
型 式： L-043E
用 途： 金属薄膜の堆積
仕 様
下側電極数：３（スイッチによる切り替え）
ボート型ヒーターによる上向き堆積
主排気：ターボ分子ポンプ
バルブ開閉は全てマニュアル式
チャンバー開閉：上下電動式
基板ホルダ回転機構：無
適応：Au, AuZnNi, AuGeNi
型 式： L-043E
用 途： 金属薄膜の堆積
仕 様
下側電極数：３（スイッチによる切り替え）
ボート型ヒーターによる上向き堆積
主排気：ターボ分子ポンプ
バルブ開閉は全てマニュアル式
チャンバー開閉：上下電動式
基板ホルダ回転機構：無
適応：Au, AuZnNi, AuGeNi
電子ビーム（EB）蒸着装置
製造元： 神港精機(株)
型 式： AAMF-C1050SB
用 途： 金属薄膜形成
仕 様
主排気：クライオポンプ
電子銃:10kw6連
基板ホルダ：3インチφ 6枚
金属膜の多層自動堆積可
適応：Ti, Pt, Au, Ni, Cr 等
型 式： AAMF-C1050SB
用 途： 金属薄膜形成
仕 様
主排気：クライオポンプ
電子銃:10kw6連
基板ホルダ：3インチφ 6枚
金属膜の多層自動堆積可
適応：Ti, Pt, Au, Ni, Cr 等
シンター炉
製造元： ケミトロニクス(株)
型 式： OS-3500E
用 途： オーミック電極形成用熱処理（N2 雰囲気中）
仕 様
プロセス温度：～600 ℃（MAX)
ウエファサイズ：3インチφ（MAX)
その他：ウエファ25枚カセット、自動搬送にて加熱処理が可能。
型 式： OS-3500E
用 途： オーミック電極形成用熱処理（N2 雰囲気中）
仕 様
プロセス温度：～600 ℃（MAX)
ウエファサイズ：3インチφ（MAX)
その他：ウエファ25枚カセット、自動搬送にて加熱処理が可能。
問合せ
お問い合わせは右記先端ICTデバイスラボ事務局へお願いいたします。
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先端ICTデバイスラボ 事務局